功能性特用材料

ALD 有別於一般傳統化學氣相沉積 (chemical vapor deposition, CVD) 的成長方式，前驅物 (precursors) 依序地被引進反應腔體裡面，藉由前驅物在基材表面的飽和化學吸附 (saturated　chemisorption) 及自我限制 (self-limiting) 的化學反應，將原子一層一層地堆疊起來，進行薄膜的成長。　
與歐美等國合作，引進高品質高純度前驅物，同時可以客製化特殊功能前驅物